Abstract
Es wird die Temperaturabhängigkeit verschiedener Emissionsbanden sowie der Leitfähigkeit von ZnS‐Einkristallen unter Anregung mit 60 keV‐Elektronenstrahlen untersucht. Das besondere Interesse dieser Arbeit gilt den positiven Temperaturkoeffizienten, die sowohl bei der Lumineszenz als auch bei der Leitfähigkeit auftreten.Eine quantitative theoretische Untersuchung zeigt, daß sich diese positiven Temperaturkoeffizienten und die Verschiebung des Maximums der Lumineszenz bei einer Erhöhung der Anregungsdichte zu höheren Temperaturen zwanglos im Rahmen des Riehl‐Schönschen Modells erklären lassen. Von den positiven Temperaturkoeffizienten kann man auf die Haftstellentiefe schließen. Das hierbei erhaltene Ergebnis stimmt gut mit der aus Glowmessungen ermittelten Haftstellentiefe überein.