Sur quelques propriétés de Cd3As2
- 1 January 1961
- journal article
- Published by EDP Sciences in Journal de Physique et le Radium
- Vol. 22 (12) , 807-810
- https://doi.org/10.1051/jphysrad:019610022012080700
Abstract
L'étude de la résistivité de l'effet Hall et du pouvoir thermoélectrique de Cd3As2 en fonction de la concentration de porteurs, a permis de montrer que le gaz d'électrons était pratiquement dégénéré et qu'à la température ambiante la diffusion prépondérante était due aux phonons acoustiques. D'après ces résultats, la masse effective de densité d'état est : m* = (0,050 ± 0,015) mKeywords
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- Physical Properties of Several II-V SemiconductorsPhysical Review B, 1961