Über das Randschichtrauschen in Halbleitern
- 1 January 1953
- journal article
- research article
- Published by Wiley in Annalen der Physik
- Vol. 446 (4-7) , 362-367
- https://doi.org/10.1002/andp.19534460410
Abstract
Mit Hilfe der Gisolfschen Theorie des Schrotrauschens und der Schottkyschen Randschichttheorie wird durch eine Mittelung über das Quadrat der Feldstärke eine Formel hergeleitet, die unter Zugrundelegung des Gisolfschen Mechanismus das Rauschen in der Randschicht und im Halbleiterinnern in einheitlicher Weise beschreibt.Keywords
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- On the spontaneous current fluctuations in semiconductorsPhysica, 1949
- Statistische Schwankungen in HalbleiternZeitschrift für Naturforschung A, 1949
- Zur Randschichttheorie der TrockengleichrichterThe European Physical Journal A, 1949
- A theory of flicker noise in valves and impurity semi-conductorsProceedings of the Physical Society, 1947
- Fluctuations in streams of thermal radiationProceedings of the Physical Society, 1947
- Vereinfachte und erweiterte Theorie der Randschicht-gleichrichterThe European Physical Journal A, 1942
- Thermal Agitation of Electric Charge in ConductorsPhysical Review B, 1928