Epitaxial growth of heavily P-doped Si films at 450 °C by alternately supplied PH3 and SiH4
- 1 August 2001
- journal article
- Published by EDP Sciences in Journal de Physique IV
- Vol. 11 (PR3) , Pr3-255
- https://doi.org/10.1051/jp4:2001332
Abstract
Journal de Physique IV, Journal de Physique Archives représente une mine d informations facile à consulter sur la manière dont la physique a été publiée depuis 1872.Keywords
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