Zum Nachweis von Haftstellen in CdS‐Einkristallen
- 1 January 1953
- journal article
- Published by Wiley in Annalen der Physik
- Vol. 448 (6-8) , 322-326
- https://doi.org/10.1002/andp.19534480606
Abstract
Die Dunkelleitfähigkeit von CdS‐Einkristallen durchläuft beim Erwärmen oft Maxima im Gebiet von etwa 100° C. Diese Maxima verhalten sich analog den Glow‐Kurven, sie treten nur auf, wenn die Kristalle vor Beginn des Erwärmens belichtet wurden. Mittels derartiger Messungen läßt sich zeigen, daß durch zusätzlichen Einbau von Sauerstoff in CdS‐Kristallen Haftstellen erzeugt werden.Keywords
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- Über den Einfluß von Sauerstoff auf die Leitfähigkeit von CdS‐EinkristallenAnnalen der Physik, 1953
- Zur Temperaturabhängigkeit der Dunkelleitfähigkeit von CadmiumsulfidAnnalen der Physik, 1952
- Bemerkungen zur Auswertung der ?glow?-Kurven von KristallphosphorenThe Science of Nature, 1951
- Elektronenleitung in NichtmetallenZeitschrift für angewandte Mathematik und Physik, 1950
- Zur Theorie der Lumineszenz und der elektrischen Leitfähigkeit von KadmiumsulfidkristallenAnnalen der Physik, 1950
- Uber die photoelektrischen Eigenschaften von Kadmiumsulfid‐EinkristallenAnnalen der Physik, 1949
- The Electron Trap Mechanism of Luminescence in Sulphide and Silicate PhosphorsProceedings of the Physical Society, 1948
- Phosphorescence and electron traps - I. The study of trap distributionsProceedings of the Royal Society of London. Series A. Mathematical and Physical Sciences, 1945