Zur Theorie des Haftstellenmechanismus in Halbleitern

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Abstract
Der Einfluß von Haftstellen auf die Photoleitfähigkeit von Halbleitern wird sowohl für den Fall einer konstanten Anregung als auch für die An- und Abklingvorgänge berechnet. Die experimentell zugänglichen Meßwerte (unter Einschluß des Temperaturganges) genügen zur Bestimmung aller charakteristischen Konstanten, d. h. Haftstellendichte, Termlage und Wirkungsquerschnitt für Elektronen und Löcher. Zu früheren Arbeiten wird Stellung genommen.

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