Sur l'étude des fortes densités d'états de surface dans les structures M.O.S. à l'aide des variations de la capacité complexe en fonction de la fréquence

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Abstract
Après avoir rappelé l'intérêt que présente l'utilisation des variations de la capacité complexe en fonction de la fréquence pour l'étude des structures M.O.S., on envisage plus particulièrement le cas où la densité d'états présents à l'interface oxyde-semiconducteur est élevée (de l'ordre de 1013 cm-2 eV-1 ou plus). On discute de l'effet d'écran joué par ces états sur le potentiel de surface, et on montre dans les deux cas idéaux (états monoénergétiques et distribution énergétique uniforme) que l'étude des modifications de la capacité complexe, sous l'effet de la tension continue appliquée, permet d'atteindre certains paramètres caractéristiques des états de surface. Enfin, on applique ce moyen d'étude au cas pratique d'une structure métal-oxyde anodique-silicium

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