Nichtlineare Effekte bei der Feldemission aus Halbleitern

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Abstract
An Hand eines einfachen Modells werden Beziehungen für die Berechnung der Feldverteilung und des Spannungsabfalls in einem halbleitenden Feldemitter hergeleitet. Mit Hilfe der gewonnenen Gleichungen wird der Einsatzpunkt der Abweichung vom linearen Kennlinienverlauf für den Fall des In2S3 in guter Übereinstimmung mit dem Experiment berechnet. Aus experimentellen Strom‐Spannungs‐Kennlinien für In2S3 wurde die Feldabhängigkeit der Beweglichkeit und des Multiplikationsfaktors der Elektronen ermittelt. Aus dem Verlauf des Multiplikationsfaktors ergibt sich Stoßionisation als verantwortlicher Mechanismus für die Elektronenvervielfachung in einem In2S3‐Feldemitter. Es werden Hinweise auf mögliche Verbesserungen der Theorie gegeben.

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