I. Effets magnétoélectriques et thermomagnétoélectriques dans les semi-conducteurs

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Abstract
On étudie la conductivité électrique d'un cristal en présence d'un champ magnétique. La méthode utilisée est celle du gain moyen d'énergie. Elle permet d'exprimer sous forme tensorielle le vecteur densité de courant en fonction du champ électrique et du champ magnétique dans le cas d'une vallée unique. Ce calcul permet ensuite d'obtenir, dans la limite des champs magnétiques faibles, les tenseurs de résistivité et de pouvoir thermoélectrique (ce dernier englobe le pouvoir thermoélectrique proprement dit, l'effet Nernst et la thermomagnétorésistance). Ces résultats sont utilisés dans les modèles particuliers généralement admis pour le germanium et le silicium