Die elektrischen Eigenschaften von Indiumarsenid II
Open Access
- 1 November 1954
- journal article
- Published by Walter de Gruyter GmbH in Zeitschrift für Naturforschung A
- Vol. 9 (11) , 954-958
- https://doi.org/10.1515/zna-1954-1108
Abstract
Es werden Messungen der spez. Leitfähigkeit und des Hall-Koeffizienten der halbleitenden Verbindung InAs mitgeteilt und diskutiert. Für die Breite der verbotenen Zone am absoluten Nullpunkt der Temperatur ergibt sich der Wert 0,47 ± 0,02 eV. Ihre Temperaturabhängigkeit ist angenähert —4,5·10-4 eV/°K. Die Elektronenbeweglichkeit hat bei Zimmertemperatur einen Maximalwert von etwa 30000 cm2/Vsec, die Löcherbeweglichkeit von etwa 200 cm2/Vsec.Keywords
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