Über CdTe-Schichten und -Solarzellen

Open Access

1 October 1971

journal article
Published by Walter de Gruyter GmbH in Zeitschrift für Naturforschung A

Vol. 26 (10) , 1691-1698
https://doi.org/10.1515/zna-1971-1018

Abstract

CdTe-Schichten wurden auf verschiedene Weise hergestellt und elektrische und photoelektrische Eigenschaften untersucht. Durch Verdampfen der Verbindung hergestellte Schichten zeigten den Hochvolt-Photovolt-Effekt, die höchsten Spannungen traten für In-dotierte Schichten auf. Durch gleichzeitiges Verdampfen der Komponenten Cd und Te (Dreitemperaturverfahren) erhaltene Schichten zeigten diesen Effekt nicht. Die günstigsten Herstellungsparameter wurden ermittelt. Durch gleichzeitiges Verdampfen von In oder Nachbehandlung der Schichten im Cd-Dampf wurden die elektrischen Widerstände durch Donatordotierung herabgesetzt. Gleichzeitige Dotierung mit Cd und In lieferte die niedrigsten Widerstände. Aus auf Molybdän-Substraten durch Komponentenver-dampfung erhaltenen CdTe-Schichten wurden durch Bildung von n-CdTe -p-Cu₂Te-Heteroüber-gängen Solarzellen hergestellt. Dabei wurde der Einfluß verschiedener Dotierung mit Cd, In oder Cd + In untersucht.

Keywords

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