Développements d'une technique de topographie en réflexion des rayons X

• 1 November 1969
• journal article
• Published by International Union of Crystallography (IUCr) in Journal of Applied Crystallography
• Vol. 2  (5) , 223-230
• https://doi.org/10.1107/s0021889869007011

Abstract

Keywords

• SILICON
• TOPOGRAPHY
• DISLOCATIONS
• STRUCTURAL DEFECTS
• LAPPING
• INTEGRATED CIRCUITS
• EVOLUTION
• CAMERA
• EXPOSURES