Rekombination in Halbleitern bei Störstellenanregung
- 1 January 1962
- journal article
- research article
- Published by Wiley in Physica Status Solidi (b)
- Vol. 2 (10) , 1260-1267
- https://doi.org/10.1002/pssb.19620021005
Abstract
Es werden Ausdrücke für die durch Störstellenanregung einfach und zweifach geladener Zentren im stationären Fall erzeugten Elektronen‐ und Löcherkonzentrationen sowie für die Lebensdauern abgeleitet.Keywords
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- Photo-EMK bei Störstellen- und Grundgitteranregung im SiCPhysica Status Solidi (b), 1962
- Carrier Lifetime in Indium AntimonidePhysical Review B, 1961
- Statistics of the Recombinations of Holes and ElectronsPhysical Review B, 1952