Influence des durées de vie sur les caractéristiques statiques modélisées de diodes vertes au GaP

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Abstract
La cassure observée sur la caractéristique statique expérimentale Log L = f(Log J) de diodes vertes au GaP est montrée, à l'aide d'un modèle analytique appliqué aux échantillons étudiés, comme résultant de la compétition entre la composante du courant non radiatif générée dans la zone de charge d'espace (bas niveaux) et celles générées dans les régions N et P, le courant radiatif étant principalement généré dans la région N quel que soit le niveau d'excitation. L'adaptation du modèle à l'expérience permet de préciser des ordres de grandeur des durées de vie des porteurs en excès relatives aux centres de recombinaison radiatifs et non radiatifs

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