Abstract
Zur Beschreibung des Hall-Effektes und der Widerstandsänderung im magnetischen Feld bei Halbleitern hoher Beweglichkeit ist die übliche Theorie der magnetischen Effekte in schwachen Magnetfeldern nicht mehr hinreichend. Da in ihr immer das Produkt aus Beweglichkeit und magnetischer Feldstärke maßgebend ist, beschränkt sie sich nicht nur auf schwache Felder, sondern auch auf Halbleiter nicht allzu hoher Beweglichkeit der Ladungsträger. Insbesondere für gemischte Halbleiter hoher Beweglichkeit wird der Hall-Koeffizient stark feldstärkeabhängig. Dabei kann, wie schon in einer früheren Arbeit gemeinsam mit H. Welker gezeigt wurde, mit wachsender Feldstärke ein Vorzeichenwechsel des Hall-Koeffizienten auftreten. Die Widerstandsänderung im Magnetfeld nähert sich mit wachsender Feldstärke einem Sättigungswert.

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