Abstract
La nature de la cinétique de conduction et de l'électroluminescence de structures tunnel du type Al/Al2O3/Au et Al/CaWO4/Au, à 77 °K et 290 °K, et l'existence d'un effet photovoltaïque permettent de supposer l'existence d'une zone semi-conductrice de type n à l'interface Al/diélectrique et la présence de niveaux-pièges au voisinage des interfaces métal/ CaWO4 — avec de nombreux quasi-niveaux de Fermi — et au voisinage de l'interface Al2O3/Au — avec deux quasi-niveaux de Fermi dont l'énergie ne dépend pas de l'épaisseur de diélectrique