Gasphasenabscheidung von Siliciumcarbid und Siliciumnitrid – Ein Beitrag der Chemie zur Entwicklung moderner Siliciumkeramik

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Abstract
Reines Siliciumcarbid und Siliciumnitrid haben in kompakter, porenfreier Form wertvolle Eigenschaften – nur war es bisher kaum möglich, sie technisch zu nutzen. Beide Verbindungen lassen sich nicht schmelzen oder in reiner Form sintern, beim Heißpressen oder drucklosen Sintern sind Zusatzstoffe erforderlich, und das Reaktionssinterverfahren, bei dem nur Si und C bzw. Si und N zugeführt werden müssen, ergibt poröses Material. – Das neuartige Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung könnte die Nachteile der bisherigen Verfahren teilweise aufheben. Bei dem neuen Verfahren wird SiC z. B. durch Pyrolyse von CH3SiCl3 und Si3N4 z. B. durch Reaktion von SiCl4 mit NH3 erzeugt. Man kann mit diesem Verfahren nachträglich die Poren in SiC‐ und Si3N4‐Körpern füllen (Gasphasenimprägnierung), feinste SiC‐ und Si3N4‐ Pulver gewinnen sowie SiC‐Monofilamente herstellen, die sich als Komponente für SiC‐ Verbundkörper eignen. Außerdem können durch Gasphasenimprägnierung Faser‐Verbundkörper erhalten werden.