Etude par diffusion des rayon X aux petits angles de mica muscovite irradié par des ions d'argon

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Abstract
The mechanism of track formation in muscovite mica was studied using X-ray small angle scattering. The samples were irradiated with Argon ions of minimum energy 1 MeV/nucleon, the integrated doses ranging from 3 × 1012 to 1013 Argon ions/cm2. Experiments show that point defects are formed with a concentration of the order of 1 per cent. In the case of Argon ions of 1 MeV/nucleon energy (maximum energy loss rate), additional larger defects, with a size of about 20 Å, are also created. The effect of thermal annealing created. and chemical etching was also studied to relate the possibility of track development with the presence of such defects. Le mécanisme de formation des traces dans le mica moscovite a été étudié par la méthode de diffusion centrale des Rayons X. Les échantillons ont été irradiés avec des ions Argon d'énergie minimale 1 MeV/nucleon, la dose variant de 3 × 1012 à 1013 ions Argon par cm2. Les échantillons contiennent alors essentiellement des défauts ponctuels, la concentration étant de l'ordre du %. Des Léfauts plus gros (20 Å) apparaissent lorsque la perte d'énergie des ions est maximale. L'influence du recuit et des attaques chimiques a également été étudiée pour établir une corrélation entre la présence de ces défauts et la possibilité de révéler les traces par attaque chimique.