Conductibilité électrique de films minces de bismuth ; application à l'étude de l'autoépitaxie
- 1 January 1978
- journal article
- Published by EDP Sciences in Journal de Physique Lettres
- Vol. 39 (16) , 283-286
- https://doi.org/10.1051/jphyslet:019780039016028300
Abstract
Pendant la condensation d'adatomes de bismuth sur la surface libre de films minces de bismuth déposés sur des substrats amorphes, on mesure les variations de résistivité électrique en fonction de l'épaisseur de la couche superficielle. A partir de l'étude de cette quantité mesurée en fonction des conditions de fabrication, de l'épaisseur et de la température, on montre que les surfaces sont largement spéculaires vis-à-vis des électrons de conduction et que le mécanisme de croissance autoépitaxiale est du type Frank-van der Merwe à partir de — 196 °CKeywords
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