Mesure et modélisation du courant de fuite de grille en excès des FET InGaAs
- 1 January 1990
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 25 (5) , 453-456
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002505045300
Abstract
L'excès de courant de fuite de grille dans les JFET InGaAs a été attribué à l'ionisation par impact dans la région de champ électrique élevé dans le canal du transistor. Actuellement, cet excès de courant de fuite de grille apparaît également dans les FET à hétérostructures InAlAs/InGaAs. Une modélisation précise basée sur un modèle distribué confirme cette hypothèse d'ionisation par impact dans le canal et permet une évaluation du coefficient d'ionisation qui est de 30 cm-1 pour un champ électrique de 4,5 x 10^4 V/cm avec un dopage du canal de 2 × 10^16 cm-3Keywords
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