Theorie der inneren Feldemission in kubischen Kristallen

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Abstract
In einer vorangehenden Untersuchung haben wir die räumliche Verallgemeinerung der Formel von Zener für die innere Feldemission gegeben. Dabei ergab sich eine exponentielle Abhängigkeit von der Feldstärke genau in der Gestalt der ursprünglichen Zener-Formel. Wie Shockley und Mitarbb. zuerst angegeben haben, muß jedoch der Zenersche Exponent durch einen anderen ersetzt werden, in welchen nicht mehr die Gitterkonstante, sondern nur die Ionisierungsenergie des Materials und die effektive Masse der Elektronen eingeht. In der vorliegenden Arbeit wird diese Modifikation an den früher erhaltenen Formeln angebracht und sodann die Bedingung für Feldemissionsdurchschlag von kubisch flächenzentrierten und raumzentrierten Kristallen abgeleitet. Dabei ergibt sich eine mindestens 20-proz. Richtungsabhängigkeit der Durchschlagsfeldstärke. Die erhaltenen Formeln werden auf PbS, PbTe, Si und Ge angewandt.

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