Ein neuer Mechanismus zur Sättigung von Photoströmen

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Abstract
In der vorhergehenden Arbeit [1] wurde gezeigt, daß die an CdS‐Kristallen beobachteten gesättigten Photoströme mit den bisher bekannten Mechanismen nicht erklärt werden können. Aus dem Potentialverlauf zwischen den Elektroden ist jedoch ersichtlich, daß bei Sättigung des Stromes die Feldstärke einen Grenzwert auch bei weiterer Spannungserhöhung nicht überschreitet. Daraus wird auf eine feldstärkebedingte Leitfähigkeitserniedrigung geschlossen, die etwa durch Feldemission von Minoritätsträgern zustande kommt. Mittels eines Arguments aus der Thermodynamik irreversibler Prozesse erhält man dann in der Strom‐Spannungs‐Kennlinie einen Spannungsbereich, in dem der Strom konstant, also gesättigt ist.