RECOMBINAISON DÉPENDANT DU SPIN ET POMPAGE OPTIQUE DANS LES SEMICONDUCTEURS
- 1 April 1974
- journal article
- Published by EDP Sciences in Le Journal de Physique Colloques
- Vol. 35 (C3) , C3-21
- https://doi.org/10.1051/jphyscol:1974304
Abstract
On observe une recombinaison dépendant du spin dans Ga0,6Al0,4As à 77 K sur l'intensité de la raie de photoluminescence des paires donneur-accepteur. Le temps de vie augmente de 2,3 quand les électrons photoexcités et les centres de recombinaison ont leurs spins orientés par pompage optique en lumière polarisée circulairement. L'orientation optique et la recombinaison dépendant du spin conduisent à une polarisation électronique de spin égale à 70 % en régime permanentKeywords
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