Niveaux profonds dans les matériaux à haute résistivité : Si et Cds

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Abstract
Nous présentons des résultats de spectroscopie transitoire de niveaux profonds obtenus sur des matériaux homogènes de haute résistivité, silicium et sulfure de cadmium. On applique à des transitoires de photocourant entre contacts ohmiques la méthode usuelle d'analyse différentielle des transitoires de capacité utilisée pour des matériaux conducteurs. Dans le silicium N compensé la méthode permet de caractériser les pièges à minoritaires. Nous en fournissons une démonstration expérimentale directe avec un échantillon de résistivité égale à 200 Ω cm sur lequel on peut réaliser simultanément une jonction Schottky. La méthode capacitive classique révèle la présence de 3 pièges à électrons : Ec - Et = 86,156 et 550 meV alors que la photo-capacité et la photoconductivité révèlent celle d'un piège à trous : E t - Ev = 330 meV. Dans un autre échantillon de silicium, p = 104 Ω cm, le seul niveau détecté correspond à E t - Ev = 247 meV. Dans le sulfure de cadmium semi-isolant, p > 108 Ω cm, nous avons détecté la présence de 3 centres profonds et caractérisé l'un d'entre eux. Son énergie d'activation est E = 100 meV et nous pensons qu'il s'agit d'un piège à électrons

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