Nature cristallo-physico-chimique de l'interface entre un semiconducteur et son oxyde propre. I. — Etudes expérimentales des semiconducteurs des groupes A4 et A3 B5

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Abstract
On présente les résultats d'études systématiques des propriétés électrophysiques et physicochimiques de l'interface oxyde propre anodique ultramince (0 à 50 Å)-semiconducteur (OPS), obtenus en étudiant les effets de champ électrique (C, ΔC, σ□, Δσ□, j, Δj ∼ f(Φ, t)) dans différents électrolytes aqueux pour un ensemble de semiconducteurs bien choisis des groupes A4(Si, Ge) et A3B5(InP, InAs, InSb; GaN, GaP, GaAs, GaSb). On a utilisé les surfaces (100) et (111) pour le groupe A4 et les surfaces (111) et (111) pour le groupe A3B5. Les résultats des expériences indiquent la formation d'une couche électrique spécifique à la première étape de formation de l'interface OPS, dont la grandeur algébrique dépend des propriétés cristallographiques, physiques et chimiques de la surface étudiée. Dans des conditions identiques, sur le système électrolyte-oxyde propre-semiconducteur, on a réussi à mettre en évidence les règles de variation de la double couche électrique à l'interface OPS pour les semiconducteurs des groupes A4, InB5 et GaB5 pour diverses surfaces cristallographiques et en étudiant aussi l'adsorption de métaux lourds (Cu, Ag, Au, Fe, Co, Ni, Pt, etc.). Quelques-unes de ces règles s'observent aussi systématiquement pour l'interface oxyde propre thermique-silicium, ce qui souligne la nature générale de l'interface OPS formée par oxydation du semiconducteur. Dans cette première partie nous présentons l'ensemble des principaux résultats expérimentaux (dont certains sont inédits), relatifs à l'interface OPS pour les semiconducteurs des groupes A4 et A3B5, dont l'interprétation générale sera donnée dans la deuxième partie

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