Préparation et étude de couches minces de CuXY2 (X = Ga, In ; Y = Se, Te) pour applications en cellules solaires

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Abstract
Cet article concerne l'étude de couches minces de matériaux photovoltaïques CuXY2 (X = Ga, In ; Y = Se, Te) obtenues par une méthode de transport chimique à courte distance (CSVT) en tube fermé, en présence d'iode. Après un rappel de la méthode, et une synthèse des résultats déjà publiés sur l'aspect thermodynamique, nous donnons des résultats de caractérisation des couches minces obtenues. Les conditions de dépôt quasi-stœchiométriques ont été déterminées. Des transitions de phase ont été trouvées : par exemple, pour CuInSe2 et pour des températures de source $>580~^circ$C, les couches sont formées de composés (In, Se), en particulier In2Se3 et InSe. Ces couches sont de type n, alors que les couches de CuInSe2, obtenues pour $T < 580~^circ$C, sont de type p. On peut donc déposer successivement des couches p et n simplement en variant la température. Ces résultats ont été complétés par une étude des couches obtenues par sublimation à courte distance (CSS) à température modérée, en utilisant le même appareillage. On retrouve des couches formées de composés (In, Se)

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