Über die Struktur dünner auf Einkristallunterlagen aufgedampfter Alkalihalogenidschichten II

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Abstract
Es wurden dünne Alkalihalogenidschichten im Hochvakuum auf Einkristallspaltflächen anderer Alkalihalogenide aufgedampft und mittels Elektroneninterferenzen untersucht. Dabei zeigte sich, daß die Schichten in drei Stadien aufwachsen, die durch die Wechselwirkung der auftreffenden Schichtbausteine mit der noch völlig oder fast unbedampften, der bereits zum Teil mit Kristalliten der Schichtsubstanz bzw. der vollständig mit der Schichtsubstanz bedeckten Unterlage bedingt sind. Während die ersten Schichtkristallite im allgemeinen achsenparallel zur Unterlage kondensieren, treten in einigen Kombinationen auf der teilweise bedeckten Unterlage noch Kristallite mit anderen Orientierungen (Würfelfläche der Schichtkristallite parallel zur Spaltfläche der Unterlage, aber um 45° um die Flächennormale gedreht, oder (110)-Fläche der Schichtkristalle parallel zur Spaltfläche der Unterlage) hinzu. Wenn die Unterlage vollständig bedeckt ist, liegen für die nachfolgenden Schichtbausteine ähnliche Verhältnisse wie beim Eigenwachstum vor. Neben den in den vorhergehenden Stadien entstandenen Kristalliten, die weitergebaut werden, treten nun auch noch Zwillinge nach (111) auf. Die Ausbildung von anderen als grundgitterorientierten Kristalliten ist sowohl schichtdicken- als auch temperaturabhängig. Beide Parameter wurden systematisch geändert und die Ergebnisse tabelliert. Das Wachstum der Schichten läßt sich mit Hilfe der bisher vorliegenden Theorien nicht einfach beschreiben, sondern ist sehr viel verwickelter als allgemein vorausgesetzt wurde. Es hängt stark von der speziellen Wechselwirkung der jeweils auftreffenden Schichtbausteine mit der Unterlage ab, die selbst bei sonst konstanten Versuchsbedingungen durch den Wachstumsprozeß während der Bedampfung fortlaufend geändert wird.

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