Über den Einfluß isolierter Gitterstörungen auf den elektrischen Widerstand elektronischer Halbleiter und seine Temperaturabhängigkeit
Open Access
- 1 September 1949
- journal article
- research article
- Published by Walter de Gruyter GmbH in Zeitschrift für Naturforschung A
- Vol. 4 (9) , 654-664
- https://doi.org/10.1515/zna-1949-0902
Abstract
Der Einfluß isolierter Störstellen auf die Energieeigenwertverteilung wird unter-sucht und dabei die Strukturempfindlichkeit von e in der phänomenologischen Leitfähigkeits-Formel σ = a exp (-ε/kT) abgeleitet. Der von W.Meyer gefundene Zusammenhang zwischen a und s läßt sich jedoch nur auf Grund einer - zwar plausibeln - Hilfsannahme über die Abhängigkeit des Elektronenimpulses von der Gitterstörung er-klären. Im Zusammenhang mit der Deutung eines in gewissen Bereichen positiven Temperaturkoeffizienten des Widerstands wird auf einige Besonderheiten der Fermi-Statistik hingewiesen. I. Das experimentelle Tatsachenmaterial D er Temperaturgang der elektrischen Leitfähigkeit o von Halbleitern läßt sich i. allg. bekanntlich gut durch die empirische Formel σ - a exp (- £ / k T) (1,1)Keywords
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