Propriétés et structure des couches minces de composés semiconducteurs
- 1 January 1964
- journal article
- Published by EDP Sciences in Journal de Physique
- Vol. 25 (1-2) , 226-232
- https://doi.org/10.1051/jphys:01964002501-2022601
Abstract
On décrit les propriétés de couches minces de InSb, InAs, HgTe, Ag 2Te : largeur de bande interdite identique à celle du monocristal ; mobilité électronique 2 à 20 fois plus faible ; concentration électronique ≃ 1017 cm-3 dénotant une stoechiométrie très exacte. On décrit aussi et on explique la structure sphérolitique, très ordonnée, des couches de Ag2Te, ainsi que ses modifications en fonction de divers paramètres, notamment un champ électrique appliqué en cours de croissanceKeywords
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- Annealing Effects in Evaporated InSb FilmsJournal of Applied Physics, 1962
- Propriétés des couches minces de tellurure d'argentJournal de Physique et le Radium, 1962
- Preparation and electrical properties of mercury tellurideJournal of Physics and Chemistry of Solids, 1958