Nouveaux développements dans l'étude de phénomènes de transport en présence d'un désordre à moyenne distance. Application aux semiconducteurs

Publisher Website
Google Scholar
Abstract
Nous proposons un modèle qui permet de rendre compte de l'ensemble des phénomènes de transport observés dans les semiconducteurs dégénérés ou non dégénérés, en présence d'un désordre (inhérent à la croissance du cristal) dans la distribution spatiale des impuretés au sein du cristal. Dans le cas des semiconducteurs dégénérés, nous montrons que ce modèle permet en particulier de rendre compte de l'amortissement des oscillations de magnétorésistance : celui-ci est en effet souvent plus important que ne le laisse prévoir la théorie de l'effet Shubnikov-de Haas dans le cas du cristal parfait. Nous montrons également qu'il est possible de rendre compte des valeurs des mobilités souvent inférieures à la valeur théorique. Dans le cas des semiconducteurs non dégénérés, le modèle proposé permet de rendre compte de façon satisfaisante des valeurs observées de l'énergie d'activation à fort champ magnétique (phénomène de gel magnétique). Bien que le modèle proposé soit ici appliqué au cas de semiconducteurs III-V, nous montrons qu'il peut être également utilisé dans le cas de semiconducteurs peu ordonnés ou amorphes

This publication has 6 references indexed in Scilit: