Abstract
L'objet de ce travail est l'étude de la diffusion faible des rayons X par un cristal de silicium ; cette diffusion est observée en dehors des réflexions sélectives de Bragg ; elle est provoquée par l'agitation thermique des atomes et par l'effet Compton. La photométrie des rayons X diffusés par des monocristaux de silicium a permis de déterminer l'intensité de la diffusion par effet Compton du silicium et les fréquences des oscillations thermiques qui se propagent suivant les axes de symétrie quaternaire et ternaire du cristal, aux températures de 293 et 580 °K