Elektronenmikroskopische Untersuchung elektrolytisch erzeugter Siliciumoxydschichten

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Abstract
Durch anodische Oxydation auf Silicium erzeugte Deckschichten lassen sich im trockenen Chlorwasserstoffstrom bei höherer Temperatur von der Unterlage abtrennen und dadurch der elektronenmikroskopischen Untersuchung zugänglich machen. Die in Borsäure hergestellten Filme bestehen aus zwei Schichten, von denen eine stark porös ist. Sie sind den beim Aluminium bekannten Eloxalfilmen ähnlich. Der Porendurchmesser beträgt etwa 100—200 A. Im Parallelversuch gelang es, die nach dem chemischen Polieren des Halbleiters an der Luft entstehende Oxydbelegung zu isolieren. Sie ist mit Sicherheit dünner als 100 A und weist keinerlei charakteristische Risse oder Poren auf.

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