Ségrégation compétitive du soufre et du silicium sur la face (100) d'un alliage Fe-6%at. Si
- 1 January 1988
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 23 (8) , 1355-1360
- https://doi.org/10.1051/rphysap:019880023080135500
Abstract
La ségrégation du soufre et du silicium sur la face (100) d'un alliage monocristallin de Fe-6%at. Si a été étudiée par spectrométrie d'électron Auger, entre 1 023 K et 1 273 K. Les cinétiques de ségrégation du soufre ont été étudiées à 1 023 K, 1073 K et 1123 K et ont permis d'évaluer sa fraction atomique de volume à 3,3 ppm at. L'évolution à l'équilibre des taux de couverture du soufre et du silicium montre que le silicium ne reste en surface qu'au-delà de 1123 K lorsque la concentration du soufre en surface décroît. Ce phénomène a été interprété par le modèle de Guttmann relatif aux solutions ternaires de substitution en tenant compte d'une énergie d'interaction répulsive entre le soufre et le silicium en surface comme dans la matrice de fer. Les valeurs de l'énergie de ségrégation du soufre dans l'alliage Fe-6%at. Si et de l'énergie de répulsion en surface entre le soufre et le silicium ont été trouvées respectivement égales à 136 kJ/mole et 75,2 kJ/mole par ajustement des courbes expérimentales et théoriquesKeywords
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