Das Leuchten beim Stromdurchgang durch Carborund läßt sich in der gleichen Weise wie bei den Kristallphosphoren mit Rekombinationsleuchten als Rekombination von Elektronen und Löchern an Gitterstörungen verstehen. Der Unterschied besteht darin, daß durch die Anregung in den Kristallphosphoren Elektron-Loch-Paare erzeugt werden, während beim Carborundleuchten durch eine p-n-Schicht Löcher in n-Bereiche bzw. Elektronen in p-Bereiche injiziert werden. Das Termschema des Carborund wird aufgestellt und ein Ausdruck für die Abhängigkeiten der Lichtausbeute angegeben. Es sind drei Rekombinationsbereiche zu unterscheiden, Rekombination im n-Gebiet, im p-Gebiet und in der p-n-Schicht. Wenn die Lichtemission mit dem Übergang eines Elektrons in den Aktivator verbunden ist, ist eine nennenswerte Lichtausbeute nur im n-Bereich zu erwarten. Sie ändert sich, wenn überhaupt, nur wenig mit der Konzentration der injizierten Löcher. Bei großen Stromstärken ist der Anteil der p-n-Schicht an der Rekombination zu vernachlässigen, so daß die Helligkeit der Stromstärke proportional ist. Bei kleiner Stromstärke proportional ist. Bei kleiner Stromstärke überwiegt der Anteil der p-n-Schicht, in der die Ausbeute verschwindend klein ist. Hierauf beruht der Einsatz des Leuchtens erst bei einer Mindeststromstärke. Die Temperaturabhängigkeit dieses Schwellenwertes des Stroms beruht darauf, daß infolge der Abnahme der Trägerdichte bei tiefen Temperaturen zur Erzielung gleicher Stromstärke größere Spannungsdifferenzen erforderlich sind, wodurch der Anteil der p-n-Schicht an der Rekombination abnimmt. Die Temperaturabhängigkeit der Steilheit des Helligkeitsanstiegs ist durch verschiedene Faktoren bestimmt, deren relative Anteile nur schwer abzuschätzen sind. Die Temperaturabhängigkeit des Intensitätsverhältnisses der Emissionsbanden erklärt sich in der gleichen Weise wie bei den Kristallphosphoren, doch ist eine wesentlich kleinere Abhängigkeit von der Erregungsdichte zu erwarten.