Cellules solaires CdS/CuInS2, préparées par pulvérisation chimique sans air

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Abstract
Nous avons étudié les propriétés structurales et optiques des couches minces de CuInS2 préparées par pulvérisation chimique réactive sans air. L'analyse par diffraction aux rayons X a montré que ces couches sont bien cristallisées et leur orientation principale (112) est nettement privilégiée pour un rapport de concentrations (Cu(I))/(In(III)) = 1 dans la solution à pulvériser. La valeur de la largeur de bande interdite, de l'ordre de 1,45 eV, a été obtenue à partir des mesures de transmission et de réflexion optiques. Les valeurs de la tension de circuit ouvert et de courant de court-circuit, de la photopile CdS/CuInS2 réalisée, sont respectivement de l'ordre de 0,3 V et 2,7 mA. cm-2