Umsetzung von Silicium mit Kupfer(I)‐chlorid. II

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Abstract
Die chemische Analyse der flüchtigen Reaktionsprodukte, die bei der exothermen Reaktion Si + 4 CuCl → SiCl4 + 4 Cu entstehen, hatte ergeben, daß sich neben dem Hauptprodukt SiCl4 als Nebenprodukte höhermolekulare Siliciumchloride mit (SiSi)‐Bindungen bilden und daß der Gesamtverlauf der Umsetzung autokatalytischen Charakter hat. Aus der thermischen Analyse des Reaktionsverlaufs war abgeleitet worden, daß die Reaktion mit einer Passivierung der Komponente Si beginnt. Als Überleitung von der Mitteilung I (die nur eine Übersicht über die Ergebnisse enthielt) wird in dieser Mitteilung II die Auswertung der thermischen Analyse ausführlich beschrieben. Anschließend wird gezeigt, daß die Befunde am System Si/CuCl in naher Beziehung stehen zu Erfahrungen über die Chlorierung von Silicium und über den Abbau höhermolekularer Siliciumchloride durch Cu bzw. CuCl, die bisher unabhängig von dem System Si/CuCl gewonnen wurden. Es werden experimentell gesicherte Teilreaktionen zusammengestellt, die auch beim Aufheizen des Systems Si/CuCl in der Grenzflächenzone der Komponente Si möglich sind. Diese liefern als Modellreaktionen Beiträge zum Verständnis des Reaktionsverlaufs bis zum sogenannten Sprungpunkt des Systems Si/CuCl.

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