Hall‐Effekt und Leitfähigkeit von Antimontellurid‐Einkristallen. (Halbleitereigenschaften von Telluriden. II)
- 1 January 1965
- journal article
- research article
- Published by Wiley in Annalen der Physik
- Vol. 470 (3-4) , 179-182
- https://doi.org/10.1002/andp.19654700306
Abstract
Nach dem Bridgman‐Verfahren werden Sb2Te3‐Einkristalle hergestellt und deren elektrische Leitfähigkeit und Hall‐Effekt zwischen +100 und −150°C senkrecht zur c‐Achse gemessen. Einkristalle wurden nur bei einer Tellureinwaage von 60,62 bis 61,22 Gew.‐% Te erhalten. Die Hall‐Konstante ist bei tiefen Temperaturen konstant und steigt beim Einkristall plötzlicher, bei Zimmertemperatur beginnend, hingegen bei polykristallinem Material schon ab −100°C langsam an.Bei Zimmertemperatur und stöchiometrischer Zusammensetzung: σ = 4,2 · 103 Ohm−1 cm−1, R = 9 · 10−2 cm3 A−1 s−1, p = 8,3 · 1019 cm−3 und σ · R = 380 cm2 V−1 s−1.Keywords
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- The systems bismuth-tellurium and antimony-tellurium and the synthesis of the minerals hedleyite and wehrliteJournal of Physics and Chemistry of Solids, 1962