Absorption freier Ladungsträger in α‐SiC‐Kristallen

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Abstract
An farblosen 6HSiC‐Kristallen wurde die durch freie Träger bedingte Absorption im Wellenlängengebiet von 1 bis 4 μ zwischen 20° und 1500°C untersucht. Die Absorptionsisochromaten der Darstellung log α über 1/T (α = Absorptionskoeffizient, T = Temperatur) ergeben zwei Geraden, aus denen sich die Aktivierungsenergie der Störstellen und der Bandabstand bestimmen lassen. Das Absorptionsverhalten n‐leitender Kristalle wird bei niedrigen Temperaturen durch Störstellenstreuung, bei höheren Temperaturen durch thermische Streuung bestimmt. Die Wellenlängenabhängigkeit dieser Absorption stimmt gut mit der Theorie überein. Die Verschiebung der Bandkante wurde bis 1500°C verfolgt.