Über die Impedanz von Halbleiter‐Elektrolyt‐Grenzflächen Mitteilung III: Über den Einfluß von Oberflächenzustanden auf das elektrische Verhalten yon Germanium‐ und Silizium‐Elektroden

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Abstract
Es wird über Messungen der Kapazität und des Leitwertes von n‐Silizium‐ und p‐Germanium‐Elektroden in n/10‐Schwefelsäure bei verschiedenen Meßfrequenzen berichtet. Bei p‐Germanium macht sich der Einfluß von Oberflächenzuständen in Form eines Maximums der Kapazität bei—350 mV und einer negativen Kapazität bei + 200 mV bemerkbar. Die negative Kapazität läßt sich auch durch potentiostatische Umschaltvorgänge sichtbar machen. Weiter wird der Einfluß des pH‐Wertes auf die Verschiebung des Minimums der Kapazität und des Leitwertes untersucht. An n‐ und p‐Germanium‐Elektroden beobachtet man einen zeitabhängigen Photoeffekt der durch die Annahme von Oberflächen‐Haftstellen erklärt wird.