Hall-Konstante und Elektronenbeweglichkeit von InSb, InAs und In (As0.8 P0,2) bei hohen Magnetfeldern
Open Access
- 1 September 1960
- journal article
- Published by Walter de Gruyter GmbH in Zeitschrift für Naturforschung A
- Vol. 15 (9) , 795-799
- https://doi.org/10.1515/zna-1960-0905
Abstract
HALL-Konstante und Elektronenbeweglichkeit wurden an drei verschiedenen III — V-Halbleitern, die für die technische Anwendung der galvanomagnetischen Effekte von besonderem Interesse sind, bis zu Magnetfeldern von 180 kG gemessen. Die HALL-Konstante von InAs und In (Aso,8 Po,2) ist im Rahmen der Meßgenauigkeit feldunabhängig, während die HALL-Konstante von InSb bis 170 kG um 15% abfällt. HALL-Generatoren aus InAs und InAsP sind daher für die Messung höchster Magnetfelder geeignet. Da die Elektronenbeweglichkeit bei allen drei Materialien mit wachsendem Magnetfeld stark abnimmt, durchläuft der HALL-Winkel in Abhängigkeit vom Magnetfeld ein Maximum.Keywords
This publication has 0 references indexed in Scilit: