INFLUENCE DES DISLOCATIONS SUR LES PHÉNOMÈNES DE TRANSPORT DANS LES SEMICONDUCTEURS
- 1 June 1978
- journal article
- Published by EDP Sciences in Le Journal de Physique Colloques
- Vol. 39 (C2) , C2-25
- https://doi.org/10.1051/jphyscol:1978205
Abstract
Cet article revoit brièvement les principales propriétés électriques des dislocations dans les semiconducteurs. Dans les semiconducteurs covalents, le rôle essentiel des dislocations est lié à leurs charges de cœur affectant aussi bien la densité des porteurs libres que leur mobilité. Dans le cas du tellure, où certains types de dislocations n'introduisent pas de porteurs supplémentaires, apparaissent plus nettement des effets de diffusion reliés au champ de déformation. Ces différents effets de diffusion sont discutés à l'aide de calculs de mobilité effectués par la méthode de l'énergie perdueKeywords
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