Caractéristiques courant-tension de jonctions P-N fabriquées par traitement laser
- 1 January 1985
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 20 (3) , 157-162
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01985002003015700
Abstract
Le but de ce travail est d'analyser les caractéristiques courant-tension des jonctions P-N fabriquées dans du silicium au moyen d'impulsions laser brèves et de fortes puissances permettant de fondre superficiellement le silicium et de les comparer aux propriétés des diodes préparées par diffusion thermique classique. L'origine des modifications observées est attribuée d'une part à la création de défauts dans la zone de charge d'espace et à la surface des échantillons par l'impulsion laser, d'autre part à la constitution de solutions solides sursaturées, caractérisées par une densité très élevée de porteurs électriquement actifsKeywords
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