Caractérisation par diffraction X des superréseaux GaAlAs-GaAs. Importance des techniques et de la procédure utilisées
Open Access
- 1 January 1989
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 24 (7) , 711-720
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002407071100
Abstract
Les techniques de diffraction X sont à l'heure actuelle largement répandues pour déterminer les paramètres structuraux des superréseaux (SR) à base de semi-conducteurs. Elles permettent en outre de détecter certaines particularités de ces structures regroupées sous le terme « défauts » tels que gradients latéraux de période et de composition, fluctuations d'épaisseur dans la direction de la croissance, dislocations, courbure et désorientation du substrat, à condition d'utiliser les appareils et les procédures adaptés. Ces défauts et leurs effets sur les diagrammes de rayons X sont décrits ainsi que les moyens permettant de les mettre en évidenceKeywords
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