Détermination de la pression d'arsenic minimale pour l'épitaxie par jets moléculaires de Ga1 - yInyAs/GaAs et Ga1 - xAlxAs
- 1 January 1987
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 22 (8) , 821-825
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208082100
Abstract
Dans le but d'optimiser les conditions de croissance des alliages Ga 1 - yInyAs et Ga1 - xAlxAs, qui sont nécessaires dans l'élaboration de composants, nous avons déterminé la pression d'arsenic minimale devant être utilisée pour la croissance de ces matériaux par épitaxie par jets moléculaires dans diverses conditions de température et de vitesse de croissance. Nous discutons l'existence d'une corrélation entre certaines transitions de reconstruction de surface, observée in situ par diffraction d'électrons, et la condition de pression d'arsenic minimaleKeywords
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