Fluctuations de composition dans des systèmes GaAs/GaAlAs observées par microscopie électronique en transmission
- 1 January 1987
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 22 (8) , 867-871
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002208086700
Abstract
Les changements de concentration en aluminium dans les dispositifs GaAs/Al xGa1-xAs sont étudiés par Microscopie Electronique en Transmission. Lorsque l'épaisseur de l'échantillon est inférieure à 80 nm, l'intensité diffractée I200 en position de Bragg est une fonction croissante de la concentration x en Al. Deux exemples d'hétérogénéité de concentration sont discutés : un excès d'aluminium observé au départ de la croissance de AlxGa1 - xAs en MOCVD et une fluctuation périodique de composition dans des couches élaborées par MBEKeywords
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- Impurity trapping, interface structure, and luminescence of GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxyApplied Physics Letters, 1984
- Structure of GaAs-Ga
1−
x
Al
x
As superlattices grown by metal-organic chemical vapour depositionElectronics Letters, 1983
- Transmission electron microscopy of interfaces in III–V compound semiconductorsJournal of Vacuum Science and Technology, 1977