Effets galvanomagnétiques dans les semiconducteurs anisotropes inhomogènes Application à la caractérisation des films de silicium sur saphir

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Abstract
Nous étudions du point de vue théorique les effets galvanomagnétiques dans des semiconducteurs anisotropes présentant des inhomogénéités unidirectionnelles de la masse effective, du temps de relaxation ou du dopage. En particulier, nous déduisons les relations qui gouvernent l'effet Hall et les effets de magnétorésistance longitudinale et transversale, dans une très large gamme d'inductions magnétiques. Nos résultats sont appliqués à la caractérisation des couches minces de Silicium (type n) Sur Isolant, où l'inhomogénéité est dans la direction de l'épitaxie. La comparaison avec les expériences permet de trouver le coefficient d'anisotropie du film et de déterminer pour divers modèles plausibles d'inhomogénéité, les mobilités à l'interface Si-SiO2, les densités de porteurs et les mobilités moyennes