Zum Wachstum von AIII‐BV‐Verbindungen aus nichtstöchiometrischen Schmelzen (III) Untersuchungen zur Flächenmorphologie homoepitaktischer GaAs‐Schichten
- 1 January 1973
- journal article
- research article
- Published by Wiley in Crystal Research and Technology
- Vol. 8 (11) , 1303-1311
- https://doi.org/10.1002/crat.19730081113
Abstract
Für die Oberflächenmorphologie bei der Bildung von GaAs‐Schichten aus Ga‐Lösung wird die primäre Bildung von charakteristischen Löchern verantwortlich gemacht. Die Entstehungsursache dieser Löcher wird gedeutet mit Hilfe geringer Verspannungen, welche aus kleinen Gitterfehlanpassungen resultieren.Keywords
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- Theoretical analysis of requirements for crystal growth from solutionJournal of Crystal Growth, 1968