Zur Epitaxie von Galliumnitrid auf Korund im System GaCl/NH3/Ar
- 1 January 1974
- journal article
- research article
- Published by Wiley in Crystal Research and Technology
- Vol. 9 (11) , 1213-1221
- https://doi.org/10.1002/crat.19740091102
Abstract
Die Züchtung einkristalliner GaN‐Schichten auf {0001}‐orientierten Korundsubstraten wird im System GaCl/NH3/Ar über den Temperaturbereich von 500 bis 1100°C untersucht. Eine hohe Kristallperfektion wird bei Züchtungstemperaturen im Bereich 1000 bis 1050°C erreicht. Die RHEED‐Diagramme solcher Proben zeigen KIKUCHI‐Linien. Die hohe Elektronenkonzentration von etwa 1020 cm−3 fällt unterhalb 700°C Züchtungstemperatur rasch mit fallender Temperatur ab. Gleichzeitig wird die Kristallperfektion infolge zunehmender Kristallitverkippung schlechter. Beugungsringe, die auf polykristalline Beschaffenheit hindeuten, treten jedoch nicht auf. Die bei 500°C gezüchteten Proben sind mit Chlorid verunreinigt. Manchmal findet ein dendritisches überwachsen der Schicht durch GaN in der Sphaleritmodifikation statt.Keywords
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