Propriétés électroniques quasi-bidimensionnelles de couches épitaxiales de GaAs à dopage δ
Open Access
- 1 January 1989
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 24 (5) , 539-543
- https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002405053900
Abstract
Nous présentons ici une étude des propriétés de transport électronique de structures à dopage planaire Si dans GaAs. Nous utilisons des forts champs magnétiques continus et des basses températures pour caractériser la couche d'accumulation. Nous montrons le caractère bidimensionnel de la conduction et la présence de plusieurs sous-bandesKeywords
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- Delta- (°-) doping in MBE-grown GaAs: Concept and device applicationJournal of Crystal Growth, 1987
- Delta-doped ohmic contacts to n-GaAsApplied Physics Letters, 1986
- The δ-Doped Field-Effect TransistorJapanese Journal of Applied Physics, 1985