Résonance paramagnétique de défauts générés par irradiation neutronique dans l'arséniure de gallium
- 1 January 1983
- journal article
- Published by EDP Sciences in Revue de Physique Appliquée
- Vol. 18 (11) , 703-707
- https://doi.org/10.1051/rphysap:019830018011070300
Abstract
Nous avons utilisé les spectres de résonance paramagnétique obtenus entre 4,2 et 300 K sur GaAs après irradiation aux neutrons rapides, en décomposant le spectre expérimental en un quadruplet contraint aux paramètres du modèle As4+Ga et un singulet. La variation de la constante hyperfine du quadruplet et celle de l'intensité, anormale par rapport à une loi de Curie, ont été attribuées à un effet d'échange entre As4+Ga et un défaut associé, responsable du singulet. Le rendement de création de ce complexe est de 10 2 par neutron rapide absorbéKeywords
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- Electron paramagnetic resonance determination of the generation rate of As antisites in fast neutron irradiated GaAsJournal of Applied Physics, 1983
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